Танталовый лист 0,9х90х100 мм ТВЧ в Одинцово

Для использования в электронных компонентах, где требуется высокая электропроводность, подходят танталовые листы марки ТВЧ. Его высокая чистота тантала обеспечивает его оптимальную электропроводность, что критично для производства конденсаторов, резисторов и других элементов.

В высокотехнологичных спортивных изделиях танталовый лист может применяться для создания сверхлегких и прочных компонентов, таких как элементы велосипедных рам, клюшек для гольфа, теннисных ракеток или деталей экипировки для экстремальных видов спорта, где важны малый вес и устойчивость к нагрузкам.

Помимо химического состава, наиболее критичными факторами окружающей среды для долговечности танталового листа являются температура, давление, наличие абразивных частиц, уровень радиационного воздействия, а также концентрация водорода и фторид-ионов. Эти параметры могут существенно влиять на скорость коррозии и механические свойства.

В динамических системах для танталового листа наиболее характерны виды механического износа: абразивный износ (при контакте с твердыми частицами), эрозионный износ (под воздействием потока жидкости или газа с абразивом) и усталостный износ (при циклических нагрузках). Для снижения износа применяются специальные покрытия.

Танталовый лист марки ТВ-10, легированный вольфрамом, обычно лучше выдерживает термические удары по сравнению с чистым танталом (ТВЧ). Повышенная прочность и меньшая склонность к деформации при высоких температурах способствуют его стабильности при резких изменениях температуры.

Существуют различные классы чистоты танталового листа, определяемые содержанием основного металла и примесей. Например, марка ТВЧ соответствует высокочистому танталу (99.9% и выше), тогда как сплавы содержат легирующие элементы и могут быть отнесены к технической чистоте по содержанию тантала.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.